鲁汶仪器邀您共襄第11届半导体设备材料与核心部件展示会

江苏鲁汶仪器股份有限公司

展位号 A1-T47

江苏鲁汶仪器股份有限公司于2015年9月，由比利时鲁汶仪器、中国科学院微电子研究所等共同注资成立。总部位于江苏省徐州市，在北京、上海设有全资子公司。

鲁汶仪器致力于为12英寸及8英寸集成电路制造线提供先进的装备和工艺解决方案。针对逻辑、存储、功率器件、光学、微显示等领域的关键工艺道次，鲁汶仪器研发了一系列12英寸及8英寸等离子体刻蚀系统、薄膜沉积系统，以及气相分解金属沾污收集系统（VPD），为客户提升产能、优化工艺提供稳定可靠的设备与完善的技术支持。

地址：江苏省徐州市邳州经济开发区辽河西路8号

网址：www.leuven-instruments.cn

 主 营 业 务 介 绍 

Pishow® 系列8英寸ICP刻蚀系统，是面向半导体晶圆制造所设计的专用设备，可实现铝互连，STI和栅极刻蚀，深硅刻蚀以及主流的化合物刻蚀工艺。

Pishow® M2 金属刻蚀系统可用于8英寸的IC产线的铝金属互连及铝垫刻蚀工艺。Pishow® P硅刻蚀系统，提供AA、gate、STI、spacer、W recess等各项工艺的刻蚀解决方案。Pishow® A2刻蚀系统则拥有多种材料刻蚀解决方案，包括介质和化合物半导体，高配可选ALE解决方案，实现对刻蚀速率和均匀性的高精度控制。

值得一提的，Pishow® 系列专为8英寸生产线的刻蚀工艺进行了设计优化，在保证领先业界的刻蚀均匀性，出色的刻蚀选择比，以及优良的颗粒控制这些指标的同时，达成了远超行业水准的MTBC时数，大大降低了CoC。该系列以其高性价比的解决方案和优秀的空间利用率，为客户投产、达产以及产能升级提供了细致完备的支持。

Lorem® 系列的IBE 系统，基本原理是由离子源中引出正离子并加速，然后通过改性后形成的中性束流轰击样品表面，溅射形成刻蚀图像。由于等离子体的产生远离晶圆空间，起辉不受非挥发性副产物的影响，所以这种物理刻蚀设计方案在理论上可以刻蚀任何固体材料，尤其善于刻蚀ICP难以处理的非挥发副产物的金属、合金叠层的薄膜结构。

特殊设计的样品台可以偏转，实现离子束倾斜入射，应用于不对称结构（例如光栅，波导等）的图形化，也可实现损伤修饰，侧壁沾污清除等特色功能。Lorem® R 引入特定的化学气体，可实现兼顾高刻蚀速率和高刻蚀选择比的反应离子束刻蚀。

Shale® 系列的化学气相沉积系统，是针对8英寸产线薄膜沉积工艺所设计的量产设备。

Shale® A 为等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统，可以在400℃及以下沉积均匀致密的氧化硅、TEOS、BPSG、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳、非晶碳化硅等薄膜。Shale® C则是通过电感耦合（ICP）产生高密度等离子体的 ICP-CVD 系统，可实现低温、高致密、低损伤、具备优良填充能力的薄膜沉积工艺。

Seehund® 系列气相分解金属沾污收集系统（VPD）是专为集成电路制造、大晶圆生产及再生、先导工艺研发等行业提供金属沾污控制方案的产品。

随着摩尔定律的不断发展，晶圆制造产业对生产过程中的金属沾污控制要求也日趋严苛，其规格已经远低于TXRF和ICP-MS的测量极限，因此VPD技术应运而生。通过VPD的预处理工序，富集晶圆表面沾污成分，以此突破检测设备的灵敏度极限，从而满足晶圆产线的需求。该系统采用了12英寸及8英寸产线设备所通用的标准零部件，符合SEMI的设计标准，并经过了严苛的稳定性和可靠性测试验证。

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