图1 (a-c) Mg_96.6Zn₁Y_2.2Zr_0.2(at.%)合金的OM图：(a)固溶处理后，(b)室温压缩后，(c)长时间自然放置后，(d)自然放置后的SEM图

图2 Mg_96.6Zn₁Y_2.2Zr_0.2(at.%)合金中Mg基体的TEM图像：(a-e)室温压缩后，(f)自然时效后

图3 TEM明场图像，显示室温压缩合金中存在高密度的基面< a >位错、< c >位错或< c + a >位错。

图4 (a) Mg_96.6Zn₁Y_2.2Zr_0.2(at.%)合金经室温压缩和长期自然放置后，在Mg基体中再结晶晶粒的低倍STEM图像。(b、d)分别为(a)中矩形所示区域“b”、“d”的高倍STEM图像。(c) 图(b)中区域的EDS图像，显示再结晶晶界存在Zn/Y/Zr元素偏析

图5 再结晶机理示意图：(a-c)含孪晶变形晶粒;(d-f)无孪晶变形晶粒;(g)再结晶晶粒;(h) LTDRX、CSRX与本工作（LTSRX）的差异示意图

论文链接：https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2023.115708

来源：河北科技大学王立伟老师供稿，编辑：张维官，审核：王颖

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