国星光电成功点亮Micro LED全彩显示屏nStar Ⅲ

国星光电Micro LED超高清显示研发项目取得重大突破，成功点亮1.84英寸Micro LED全彩显示屏——nStar Ⅲ。这款显示屏采用LTPS-TFT玻璃基驱动背板，像素间距缩小至0.078mm，分辨率达到360*480。全倒装无衬底LED像素发光单元的应用，使得屏幕在强光照射下仍能保持高清显示，峰值亮度超过1500nits。这一技术成果有望在未来广泛应用于Micro LED手表等智能穿戴设备。

国星光电介绍，在“十四五”规划的引领下，广东省积极推动超高清视频显示产业的发展，将其纳入十大战略性支柱产业。在此背景下，国星光电前瞻性地布局Micro LED显示技术，成功获批国家重点研发计划和广东省重点领域研发计划等科研项目。依托自主搭建的Micro LED创新研发平台，国星光电加速推进Micro LED新型显示技术的研发。

国星光电nStar Ⅲ技术优势

• 高精度转移：利用自主研发的巨量转移技术，实现超过50万颗Micro LED芯片的高密度集成，R/G/B三色芯片落位精度小于2um，转移良率超过99.9%。
• 高集成封装：采用自主研发的Micro LED玻璃基封装专利技术，显著降低外形厚度，提高平整度，兼顾散热与显示一致性。

至此，国星光电已成功构建多样化场景应用的“未来国星屏”矩阵，包括从P0.X至P0.0X像素间距的多种规格。未来，公司将持续深耕Micro LED微显示领域，开发硅基AR显示技术，拓展Micro LED应用领域，并建立多元化的产品、技术和解决方案平台，与客户携手推进新技术的商业化应用，共创美好未来视界。