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参展企业:浙江艾微普科技有限公司

来源: 聚展网2025-11-18 08:45:24 53分类: 玩具资讯

浙江艾微普科技有限公司

展位号:B-054

由中国半导体行业协会和中国电子信息产业发展研究院联合主办,北京赛迪出版传媒有限公司承办的第二十二届中国国际半导体博览会(IC China 2025),已定于2025年11月23—25日在北京国家会议中心盛大启幕。本届博览会秉持“集合全行业资源 成就大产业对接”理念,致力于搭建覆盖半导体产业全链条的一站式对接平台。

企业介绍

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浙江艾微普科技有限公司成立于 2019年,公司总部位于浙江海宁泛半导体产业园内,公司建筑面积近 6000 平方米。拥有千级无尘车间1000平米,机加工生产车间1000平米,配有机加中心、立卧式车床、焊接、剪切、喷砂、清洗、热处理等门类齐全的各类机加设备,具备自主设计自主研发,自主加工精密配件的一流能力。浙江艾微普科技有限公司是一家专注于集成电路设备设计、研发、生产、销售于一体的高科技公司。公司的核心技术和产品包括物理气相沉积/磁控溅射(PVD)、离子束刻蚀机(IBE)、反应离子刻蚀机(RIE)等系列半导体、新能源专用设备,产品广泛应用于集成电路、存储、MEMS传感器、太阳能等行业。

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产品介绍

离子束刻蚀机 Ion Beam Etching

  1. 成熟、可靠、高产能,7/24运行的薄膜刻蚀系统;

  2. 欧美工业生产验证的、多种成熟的薄膜刻蚀工艺;

  3. 杰出的薄膜刻蚀均匀性(< 1.0%)和重复性(<0.1%);

  4. 纯物理刻蚀(Ar+),尤其适合Au、Pt、Mo等难熔金属;Fe、Co、Ni等磁性材料;PZT、陶瓷、氧化物;多层膜等;环保、无污染;

  5. 加入反应气体,形成RIBE, 提高刻蚀速率,可静态倾斜刻蚀各种光栅结构;

  6. 广泛应用于磁学、压电、光学和半导体器件等的薄膜刻蚀;

  7. 主要客户有WD、博通、Fuji、TDK、三星、华虹、天津大学、甘肃传感所、美新、MEMSRIGHT、常州晶品光电、北京Silex等。

2、四靶(高温)磁控溅射系统HT 4TPVD.png

四靶(高温)磁控溅射系统 HT 4TPVD

  1. 成熟、可靠、高产能,7/24运行的薄膜沉积系统;

  2. 2-8英寸RF/DC/PDC/Reactive磁控溅射系统;

  3. 可定制附加离子源、样品预热、在线薄膜厚度测量、水泵等功能模块;

  4. 符合半导体行业标准的、运行20年的工业控制软件;

  5. 广泛应用于光学的ARHR薄膜, Si/SiO2/Al2O3/TiOx/TaOx等制备;

  6. 高温(Max. 1000C)氧化物薄膜,如PZT制备;

  7. 主要客户有美国Lumentum、国内Dogain及其他激光器件制造商;华中科技大学(高温HT 4TPVD)等。

3、集团磁控溅射系统Cluster PVD.png

集团磁控溅射系统 Cluster PVD

  1. 成熟、可靠、高产能,7/24运行的薄膜沉积系统;

  2. 欧美工业生产验证的、8英寸RF/DC/PDC/Reactive磁控溅射系统;

  3. 可定制化的系统、腔体、部件及其他功能功能组合;

  4. 符合半导体行业标准的、运行~20年的工业控制软件;

  5. 可附加磁场、高温、外接离子源等沉积条件;

  6. 广泛应用于磁学、压电、光学和半导体器件等的薄膜制备;

  7. 主要客户有西部数据(WD)、TDK、三星/GRANDIS、华虹等。

4、电子束蒸发镀膜机EB PVD聚焦共溅镀膜机Confocal PVD.png

电子束蒸发镀膜机 /EB PVD 聚焦共溅镀膜机 /Confocal PVD

  1. 全自动晶圆传输(单片、多片),晶圆8英寸并可向下兼容。

  2. EB PVD广泛用于高熔点、高沸点材料处理,如蒸发钨、钼、钽、氧化铝等材料。Confocal PVD广泛用于金属、氧化物、介电、光学等薄膜沉积。

  3. 膜厚测试仪实时监测镀膜速率。

  4. 电子枪含有多穴坩埚,坩埚容积多种规格,具备自动旋转选择功能。

  5. 溅射靶枪具备多种规格,可调节角度,强磁场、标准磁场型号可组合,可实现多种靶材共溅射或多层薄膜连续生长。

  6. 加热系统温度RT-1000℃可调节。

  7. 工艺可靠,高沉积速率与生产效率,高性能、小尺寸、低成本镀膜设备。

5、反应离子刻蚀机ICP RIE.png

反应离子刻蚀机 ICP RIE

  1. 成熟、可靠、高产能,7/24运行的薄膜刻蚀系统;

  2. ICP RIE,高密度等离子体,多区域气体独立,控制,优化布局

  3. 优越 刻蚀均匀性最大尺寸8英寸;

  4. 工艺可靠,高产能。

  5. 客户有TDK、WD等。

6、栅网离子源GRIDIons Beam Source.png

栅网/离子源 GRID/Ions Beam Source

概述

  1. 为离子源的关键部件;

  2. 由多层难熔金属,如Mo等,构成;

  3. 栅网中间由蜂窝状图形构成;

  4. 施加不同电势在各个栅网,以引导且加速平行、高能的离子束

特点

  1. 超精密加工金属Mo三层栅网;

  2. 全自动测量,并多工艺控制金属Mo栅网的形变;

  3. 专有工具安装,确保各层栅网位置精准对齐;

  4. 出厂前(FAT)工艺测试,满足各功率条件下刻蚀均匀性要求

企业联系

唐云俊

电话:0573-8702995

邮箱:sales@avptec.com

网址:www.avptec.com

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