中车时代领衔！第三代半导体大会邀您共探：SiC/GaN技术革新、应用、材料、封装、国产装备

罗海辉，博士，中国中车首席技术专家，现任株洲中车时代半导体有限公司常务副总经理兼研发中心主任。长期从事IGBT和碳化硅功率器件技术研发与产业化工作，带领团队构建全电压系列IGBT产品技术平台并为轨道交通、新能源汽车、工业和输配电等领域提供功率半导体器件解决方案。入选“国家重点领域创新团队”，核心参与项目“高压大电流IGBT芯片关键技术及应用”并荣获2019年国家技术发明奖二等奖（排名3/6），获省部级科技奖5项，通过省部级科技成果鉴定4项。申请发明专利100余项，其中46项发明专利已授权。在国际会议、国内外核心期刊发表论文40余篇。

龙世兵，从事超宽禁带半导体器件、存储器等领域的研究。国家杰出青年科学基金获得者，IEEE高级会员，Committee Member of the Power Devices and Systems (PDS) sub-committee for IEDM2021-2022。在IEEE EDL/TED、Nat. Commun.、Adv. Mater.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引6000余次，H因子43，6篇论文入选ESI高引论文（累计引用居前1%的论文）。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯，7项专利作价入股于合肥中科微电子创新中心公司。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中科院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得2013年国家技术发明奖二等奖、2016年国家自然科学二等奖、2018年中国科学院杰出科技成就奖。

徐科，中科院苏州纳米所研究员、学术委员会主任、副所长，兼任江苏第三代半导体研究院院长，国家杰出青年基金获得者，科技部中青年科技领军人才。长期从事第三代半导体的材料生长、装备和应用的研究，发表论文130余篇，申请专利100余项，国际会议上做特邀报告20余次。曾任科技部“863”计划新材料主题专家、十三五科技部重点研发计划专家组专家，现任十四五科技部重点研发计划新型显示和战略性电子材料专家组专家，中国电子学会电子材料分会副主任委员，中国光学学会光学材料委员会副主任委员。

徐现刚，山东大学教授、博士生导师，教育部长江计划特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者，泰山学者特聘专家，科技部973国家重点基础研发计划首席科学家，核心基础元器件重大专项负责人。国家863计划半导体照明工程重大项目总体专家组专家，享受国务院政府特殊津贴专家，获得山东省科技进步一等奖，山东省技术发明一等奖，以及第十届“山东省优秀科技工作者”荣誉称号。

现任山东大学新一代半导体材料研究院主任。中国晶体学会理事、中国光学光电子行业协会光电器件分会特聘专家、中国青年科技工作者协会会员。在国内外发表论文400余篇，被引4000余次。国家授权发明专利100余项。