由CIOE中国光博会携手集成电路创新联盟主办，深圳市中新材会展与爱集微有限公司承办的SEMI-e深圳国际半导体展暨 2025 集成电路产业创新展，将于2025年9月10-12日在深圳国际会展中心举办，双展规模将到达30万平米，5000家展商展示最新产品与技术， 吸引超16万专业观众前来参观、采购及商贸洽谈，深度融合“光电子+半导体”产业，扩大协同效应，将为参展企业与应用行业带来更多跨界合作机遇。即刻参观证件
展会以 “IC设计与应用”、”IC制造与供应链”、”化合物半导体” 为三大核心主题，全面覆盖设计、制造、封测、设备、材料、EDA/IP、零部件等全产业链生态。在化合物半导体板块，我们将展示Sic功率器件、GaN功率器件、IGBT、MOSFET等多种功率器件产品。同时展会现场还将举办“功率半导体器件及应用专题会议”。
本期内容根据展商提交信息整理，包括瑞能半导体、纳微半导体、誉鸿锦、深华颖、澜芯半导体、南芯微电子、泓冠光电、萃锦半导体等（企业排名不分先后，仅涵盖部分参展产品，内容将持续更新中）；
👉我们还有半导体设备、半导体材料、半导体核心零部件、化合物半导体等细分展品推介，点击下方查看：
👉此外，还有华大九天、紫光同创、中兴微电子、国芯科技、北京君正、富瀚微电子、纳微半导体、南芯微电子、武汉新芯、兆芯、牛芯半导体、达昌智科、风致毅、大普技术、芯汉图、上海太矽、芯景铄等企业展示IC设计及应用创新相关展品。
👉还有上海华虹、武汉新芯、中科四合、云天半导体、杰群电子等企业展示晶圆制造、先进封装及系统集成相关展品。
部分企业&展品
瑞能半导体科技股份有限公司
展位号：14F146
瑞能半导体科技股份有限公司，注册于2015年8月5号，运营中心落户上海，全资子公司和分支机构，包括吉林芯片生产基地，香港子公司，上海和英国产品及研发中心，东莞物流中心，以及遍布全球其他国家的销售和客户服务点。 作为全球功率半导体行业的佼佼者，瑞能始终专注于研发行业领先、广泛且深入的功率半导体产品组合，公司主要产品主要包括碳化硅器件，可控硅整流器和晶闸管，快恢二极管，TVS,ESD，IGBT,模块等。产品广泛应用于以家电为代表的消费电子、以通信电源为代表的工业制造、新能源及汽车等领域。瑞能始终以优化客户体验，提升运营效率，强化核心技术为目标，推动全球智能制造行业的向前发展！
TSPAK
产品介绍：采用顶部散热的TSPAK器件实现高效、高功率密度并降低电磁干扰，提升汽车、可再生能源及大功率服务器应用的可靠性。 高散热效率TSPAK封装的碳化硅MOSFET和肖特基势垒二极管（SBD），使用新封装技术提升多种高功率的应用效率、减小外形尺寸、延长可靠性并降低电磁干扰（EMI）。 瑞能的TSPAK碳化硅技术适用于电动汽车（EV）车载充电器、高低压DC-DC转换器、汽车空调压缩机、充电桩、光伏可再生能源系统及计算与通信服务器电源。
WSJ2M60R065DTL
产品介绍：WSJ2M60R065DTL是一款采用TOLL封装的高电压n沟道MOSFET，利用先进的超级结技术，提供优越的FOM RDS(on)*Qg。它特别适用于需要极高效率和功率密度的应用。
2000V HV Series
产品介绍：降低能耗与散热需求，提升可再生能源及电动汽车充电系统可靠性。 该系列针对高压系统需求设计，正向压降（VF）较竞品降低5%，热阻改善20%，显著提升效率、降低冷却成本并延长使用寿命，适用于可再生能源储能与电动汽车快充系统。
纳微半导体
展位号：14F115
纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是唯一一家全面专注下一代功率半导体事业的公司，于2024年迎来了成立十周年。GaNFast™氮化镓功率芯片将氮化镓功率器件与驱动、控制、感应及保护集成在一起，为市场提供充电更快、功率密度更高和节能效果更好的产品。性能互补的GeneSiC™碳化硅功率器件是经过优化的高功率、高电压、高可靠性碳化硅解决方案。重点市场包括移动设备、消费电子、数据中心、电动汽车、太阳能、风力、智能电网和工业市场。纳微半导体拥有超过300项已经获颁或正在申请中的专利。纳微半导体于业内率先推出唯一的氮化镓20年质保承诺，也是全球首家获得CarbonNeutral®认证的半导体公司。
高功率GaNSafe氮化镓功率芯片
产品介绍：纳微半导体的高功率旗舰——第四代GaNSafe产品家族，集成了控制、驱动、感测以及关键的保护功能，使其在高功率应用中具备了前所未有的可靠性和鲁棒性。作为全球氮化镓功率芯片的安全巅峰，GaNSafe具有短路保护（最大延迟350ns）、所有引脚均有2kV HBM ESD保护、消除负栅极驱动并具备可编程的斜率控制。所有这些功能都可通过芯片4个引脚实现，使得封装可以像一个离散的氮化镓FET一样被处理，不需要额外的VCC引脚。
GeneSiC碳化硅功率器件
产品介绍：GeneSiC™碳化硅MOSFETs采用了沟槽辅助平面栅极技术，平面和沟槽优势互补，可靠性和可制性兼具、该产品具备良好的高温特性，相同电气参数下Rdson随温度变化不到1.4倍，可以承受更大的电流。而在相同电压等级下，GeneSiC可以为产品提供更低的开通关断损耗和更长的短路耐受时间。不但在软开关条件下，开通关断损耗达到最低；在表征抗异常情况下，短路耐受时间也是目前业界最强的。
江西誉鸿锦芯片科技有限公司
展位号：14F126
公司从事高品质氮化镓（GaN）系列第三代半导体材料的MOCVD外延生长、电子器件和光电器件结构外延片的研发和制造、电子器件和光电器件芯片流片、芯片和模组的封装制造等全产业链（IDM）产品的研发和生产。公司掌握从外延生长、器件设计到芯片制造、封装测试全产业链技术，成功在硅衬底和蓝宝石衬底外延氮化镓材料，并先后推出E-mode（增强型）和D-mode（耗尽型）氮化镓场效应晶体管（GaNMOSFET）芯片，在中压650V规格上已量产出货。 公司通过自身在氮化镓领域的长期积累，持续投入研发高压低阻、低压低阻及中压低阻等产品，产品矩阵丰富，电性能指标优越，力争成为行业内的领军企业。
DFN 8080M 氮化镓 場效應管器件
产品介绍：DFN 8080M 氮化镓場效應管器件，具备高击穿电压、大电流和高工作速度，适用于大功率应用。
功能：
1、栅极驱动电压兼容性（-20V至20V）；
2、高工作频率；
3、低Qrr ；
应用：
1、开关电源；
2、交流-直流/直流-直流转换器；
3、电机驱动器；
DFN 1010 氮化镓 場效應管器件
产品介绍：DFN 1010氮化镓場效應管器件，具备高击穿电压、大电流和高工作速度，适用于大功率应用。
功能：
1、栅极驱动电压兼容性（-20V至20V）；
2、高工作频率；
3、低Qrr ；
应用：
1、开关电源；
2、交流-直流/直流-直流转换器；
3、电机驱动器；
DFN 5060（倒裝芯片）氮化鎵場效應管器件
产品介绍：DFN 5060（倒裝芯片）氮化鎵場效應管器件是一款增强型硅基氮化镓功率晶体管,提供高电流和高工作速度,适用于直流到直流电源应用。
功能：
1、100V增强模式功率晶体管；
2、RDS(on) = Typ.1mΩ；
3、符合RoHS标准；
4、双面冷却封装 ；
应用：
1、开关电源；
2、直流/直流-直流转；
T0-247-4氮化鎵 場效應管器件
产品介绍：T0-247-4氮化鎵 場效應管DFN 1010氮化镓 場效應管器件，具备高击穿电压、大电流和高工作速度，适用于大功率应用。
功能：
1、栅极驱动电压兼容性（-20V至20V）；
2、高工作频率；
3、低Qrr ；
应用
1、开关电源；
2、交流-直流/直流-直流转换器；
3、电机驱动器；
TOLT 氮化鎵 場效應管器件
产品介绍：TOLT 氮化鎵場效應管 場效應管DFN 1010氮化镓場效應管，具备高击穿电压、大电流和高工作速度，适用于大功率应用。
功能：
1、栅极驱动电压兼容性（-20V至20V）；
2、高工作频率；
3、低Qrr ；
应用：
1、开关电源；
2、交流-直流/直流-直流转换器；
3、电机驱动器；
深华颖半导体（深圳）有限公司
展位号：14F115
深华颖是一家致力于成为世界领先的功率半导体供应商的公司，专注于研发、生产和销售高性能IGBT 及第三代半导体SiC器件等功率半导体产品。自成立以来，我们一直在不断努力追求卓越，为客户提供卓越的功率半导体产品和服务，以满足不断增长的市场需求。深华颖的产品组合主要包括IGBT单管、IPM、IGBT模块、SiC器件、高性能MOSFET以及相关的驱动和 保护技术产品。这些产品广泛应用于能源转换、电力电子、电动汽车、工业自动化、再生能源等众多领域。在苏州太仓及广州经开区设有高标准的生产制造基地，我们的技术研发团队在功率半导体领域拥有丰富的经验，致力于不断创新，提供卓越的性能和可靠性。
IPM
产品介绍：DIP26 SYIM656-DGT替换安森美41560 DIP24 SYIM15G60BTB。
IGBT模块
产品介绍：高性能IGBT模块，采用六代或四代芯片，帮助客户提升效率，应用于多种领域，如变频器，逆变器，焊机，EPS，电车驱动。
IGBT单管
产品介绍：各种封装形式，to-220、247等，广泛应用于变频器，电网、矿机等领域，根据要求选择普通以及高频单管，更低的饱和压降，更好的提高产品效率。
MUR和MOSFET
产品介绍：MUR以TO-247为主，采用最新工艺，反向恢复时间更快，效率能在原有基础上提升20%左右，应用于各种电源领域 MOSFET提供定制化服务，广泛应用于各个领域。
SiC
产品介绍：SiC具有更高的频率，提升产品效率，电驱部分主要使用模块，充电桩领域以单管居多，此外，能源转换、电子电力、工控领域在不断扩大SiC的使用。
上海澜芯半导体有限公司
展位号：14F115
上海澜芯半导体于2022年6月在上海成立，2023年初开始运营。公司技术团队有超过15年功率半导体设计和开发经验，具有丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。 是一家专注碳化硅功率器件开发和设计的功率芯片设计公司。拥有完整的自有设计和工艺，多项专利发明 公司的SiC器件产品广泛应用于新能源汽车，光伏，逆变，储能等领域。 公司1200V SiC MOSFET平台产品全部都通过车规级可靠性认证。
双面散热碳化硅模块
产品介绍：1200伏2毫欧双面散热碳化硅模块，用于新能源汽车主驱逆变器等应用。
SiC HPD功率模块
产品介绍：1200V SiC HPD功率模块，用于新能源车主驱逆变方案。
碳化硅成品晶圆
产品介绍：碳化硅成品晶圆。
1200伏碳化硅成品器件
产品介绍：1200伏碳化硅成品器件。
安徽泓冠光电科技有限公司
展位号：14G58
泓冠是一家国家级高新技术企业，专业从事半导体功率器件、集成电路及相关零组件的研发、设计、封测和销售，实现了芯片设计、封装测试、终端销售与服务的半导体IDM（垂直整合）模式。公司拥有100余项核心专利及ISO9001、IATF16949等多项管理体系认证。 公司核心优势在于强大的自主研发能力，拥有涵盖功率器件、LED、光耦、晶圆、模组等多个领域的资深研发团队，在半导体工艺、器件结构和电路设计上取得突破。产品包括二三极管、保护器件、MOSFET、IGBT、光耦、LED、光电开关、IC等，广泛应用于汽车电子、5G基站、储能、机器人、消费电子、智能家居、光伏、工业照明等领域。江苏常熟工厂，安徽太湖基地。
红外系列产品
产品介绍：我司红外系列产品涵盖红外发射IR、接收PT/PD、光电开光ITR、红外接收头IRM等产品，包含LAMP、SMD等封装类型，具有体积小、辐射强度高、灵敏度高、角度指向性好等优点，产品广泛用于电梯光幕，安全光栅，安防摄像头，笔记本电脑、无线遥控，3C家电，消费电子等领域。
MOS系列产品
产品介绍：新一代 MOS 产品采用碳化硅、超结等先进技术，具备低导通电阻、高开关速度、耐高温等特性，可大幅降低功耗与损耗。广泛应用于新能源汽车、光伏逆变、储能系统及高端电源管理等领域，为高效能电力转换提供可靠解决方案。
深圳市南芯微电子有限公司
展位号：14F115
深圳市南芯微电子有限公司注册于2003年1月,是专注于功率器件的研发、生产和应用的高新技术企业。团队骨干均有海外知名半导体公司及国内头部集成电路制造企业的工作经历。具有丰富的集成电路设计和半导体行业经验,是最早引入日本和台湾的功率MOS管产品在国内生产的设计公司，致力于整合产业优势资源,不断研发创新，推广国产化替代，为用户提供优质的功率器件,目前主要产品有中低压MOS管、IGBT、SIC单管及模块,实时时钟电路，产品规格覆盖各种封装系列，广泛应用于航空航天、电力电子，新能源、工业控制、无线快充、智能家居等等领域，从芯片研发到投片封测，为用户提供高效节能，稳定可靠的解决方案。
Si4606
产品介绍：Si4606 SOP8封装 N+P沟道 电压30V 电流7A 应用于电机驱动 风扇类消费品。
宁波萃锦科技发展有限公司
展位号：14F115
萃锦半导体是浙江省高新技术企业，公司深耕新一代功率半导体领域，业务覆盖芯片设计、器件研发、生产制造、市场销售及应用服务全链条，专注于为中高压工业和新能源等行业，提供高可靠性、高性能的分立器件、模块及板级方案。 产品线方面，包含30V-2000V电压平台功率器件，包括硅基超薄SGT MOSFET、超结SJ MOS、IGBT分立器件与模块，以及第三代半导体碳化硅SiC MOSFET和模块、新型合封功率芯片、板级系统方案等。研发位于上海，在上海、深圳、武汉和西安设应用和销售中心，制造基地位于宁波慈溪高新区，42,000 平米功率芯片制造厂房正在筹建中。
SiC功率模块62mm
产品介绍：关键指标 : Vdss=1200V ld=150-500A Tvjop=150℃ 应用：UPS；DC/DC变换器；高频开关；储能系统；太阳能；电动车直流充电
Sic功率模块Econodual3
产品介绍：关键指标： eVdss=1200V e1d=360A-380A Tvjop=150°C 应用：太阳能；UPS；高频开关；储能系统；电动车直流充电；DC/DC变换器 特点： 低开关损耗；低VcE(sat)；低Qg和Crss
同期会议
功率半导体器件及应用专题会议
论坛时间：9月11日下午
论坛地点：14号馆馆内会议室
当前功率半导体器件作为电力设备电能变换与控制的关键，正迎来蓬勃发展的黄金期。据统计，2024 年功率半导体市场规模已超 356.8 亿美元，预计到2031年将达430.3亿美元，年复合增长率为 2.37%。
本次论坛将汇聚行业专家、企业精英与科研人员，将围绕新型功率器件研发、材料创新（如碳化硅、氮化镓等宽禁带材料应用）展开研讨，分享其在各领域的创新应用案例，探讨如何突破技术瓶颈、提升器件性能与可靠性，为功率半导体器件技术革新与产业发展注入新动力。
会议热点话题探讨：
· 功率半导体器件在新能源领域的应用
· 功率器件的设计优化与创新
· 破解AI能耗困局！GaN&SiC推动数据中心电源能效进阶
· 埋入式SiC功率模块集成封装技术
· 离子注入机石墨零部件的国产化替代与创新
参考资料：
SEMI-e
举办地区：广东
开闭馆时间：09:00-17:00
举办地址：深圳市宝安区福海街道和平社区展城路1号
展览面积：60000㎡
观众数量：50000
举办周期：1年1届
主办单位：中国国际光电博览会（CIOE中国光博会）、集成电路创新联盟
