SK海力士砸900亿美元扩产

SK海力士计划投资近900亿美元，在韩国京畿道建设全新的半导体生产园区。该园区将包含四座独立的晶圆厂，目前开工前的准备工作已完成三分之一。

随着人工智能（AI）和高效能计算（HPC）市场的快速发展，SK海力士凭借其高频宽内存（HBM）和DDR5产品，在2023年第四季度实现了业务的扭亏为盈。为了进一步巩固市场地位，SK海力士计划斥资近900亿美元进行大规模扩产。

据报导，SK海力士预计投入至少120兆韩元（约近900亿美元），在韩国京畿道中部的龙仁市建设全新的半导体生产园区。该园区将包含四座独立的晶圆厂，目前开工前的准备工作已完成三分之一。SK海力士计划于2025年3月启动扩产计划，首座晶圆厂预计将于2027年完工，整个园区的建设预计将在2046年全面完成。

鉴于当前AI市场对HBM产品的巨大需求，以及SK海力士在产能方面的紧张状况，该公司很可能将优先扩大HBM的产能。此外，计划建设的四座晶圆厂将占据园区的一半面积，SK海力士还将在园区内建设包括废水处理厂、资源回收场等在内的配套支持设施。

除了SK海力士外，三星也选择在附近地区建设类似的半导体生产园区和研发中心，以应对AI市场带来的增长需求。

SK海力士的第五代高频宽内存HBM3E，主要针对NVIDIA的H200/B100商机，是目前市场上针对AI应用的最高规格DRAM产品。它提供了业界最高的36GB容量、每秒1.18TB的处理速度，以及卓越的散热性能，特别适用于人工智能系统。

SK海力士在3月19日宣布，HBM3E已成功实现量产，目前SK海力士在HBM市场的占有率高达五成。然而，三星和美光也在积极争夺这一市场份额。

值得注意的是，NVIDIA最快将从9月开始大量采购12层HBM3E内存，业界推测这将涉及NVIDIA的GB200商机。值得注意的是，这些内存将由三星独家供货，这有望打破SK海力士在HBM市场的垄断地位。