三星电子极紫外光刻技术获重大进展：EUV薄膜透过率达90%

据韩媒报道，三星的极紫外（EUV）光刻技术取得了重大进展。最近在釜山举行的“KISM2023”学术会议上，三星DS事业部研究员Kang Young-seok详细介绍了EUV技术的现状和未来。

Kang Young-seok透露，三星使用的EUV薄膜的透光率已经达到90%，计划将其提高到94-96%。据悉，三星EUV技术的关键在于EUV薄膜的使用，EUV 薄膜是半导体制造中光刻工艺所必需的材料，是用于保护光掩模免受污染同时允许高极紫外光刻 (EUV) 传输的薄膜。EUV 薄膜在光刻工艺中能够起到保护作用，防止外来颗粒造成缺陷。90%的透光率意味着只有90%的进入薄膜的光到达掩膜，这比更常见的氟化氩（ArF）光源使用的99.3%的薄膜透光率要低。三星在部分先进的EUV代工生产线上为主要客户引进了EUV薄膜。虽然在DRAM生产线上也采用了EUV工艺，但考虑到生产效率和成本，认为没有薄膜的存储器量产是可行的。据Kang透露，三星并未使用韩国国内供应商的EUV薄膜，目前日本三井物产是唯一供应商。虽然 FST 和 S&S Tech 等韩国公司正在积极开发 EUV 薄膜，但尚未实现量产。随着更精细工艺和更多ASML EUV光刻机的导入，对薄膜的需求将不断增长，韩国业界哪家韩国公司将率先成为三星电子的合作伙伴。

相比之下，三星的代工竞争对手台积电已经在7纳米及更小工艺的生产线上使用自己的EUV薄膜。